Photoemission from the Sr/Si(001) interface
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Le résumé fourni par la source
The growth of Sr on n-type Si(001) was studied in detail for coverages between 0 and 1 monolayer (ML) using core level photoemission spectroscopy. In a similar manner, the Sr saturation coverage was studied in the 600–925 °C temperature range. Data analysis was carried out by a method that allows accurate determination of the band-bending shifts. Using this method it is possible to pinpoint the formation and destruction of chemical species from bungled core level photoemission data without needing to know details of the chemical composition of the spectra. Through this analysis it was established that the interaction between Sr and Si breaks down the binding energy difference between upward and downward Si dimer atoms. In addition, it was found that the saturation coverage exhibits a clear plateau at 1 ML around 650 °C, and a slope change at 1/3 ML around 850 °C. The surface band bending suffers a discontinuous increase as the Sr coverage surpasses 12 ML and as the low energy electron diffraction symmetry changes from [2×3] to [2×1].
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Photoemission from the Sr/Si(001) interface
- Date Crossref
- 15/12/2001
- Éditeur
- AIP Publishing
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Stanford Synchrotron Radiation Lightsource pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Motorola (United States) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Physical Sciences (United States) pays non établi dans la noticeEntreprise
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CINVESTAV-Querétaro pays non établi dans la noticeInstitution
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CINVESTAV-Fı́sica pays non établi dans la noticeInstitution
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Stanford Synchrotron Radiation Laboratory pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Physical Sciences Research Labs pays non établi dans la noticeInstitution
Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional, Stanford Synchrotron Radiation Lightsource et Motorola (United States), avec 5 autres affiliations.
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