Ultra low miller capacitance trench-gate IGBT with the split gate structure
Rattachement africain : jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
This paper presents a newly developed trench gate IGBT which utilizes the split gate structure. It can realize both low Miller capacitance and high Injection Enhancement (IE) effect. The Miller capacitance has been reduced to 1/10 compared to that of the general trench gate structure with floating p-base. As a result, the turn-on power dissipation has been reduced by about 10% under the same turn-on di/dt and high recovery dV/dt controllability has also been achieved because of its lower gate-collector coupling. The trade-off relationship between the on-state voltage drop and the turn-off power dissipation has been improved by about 15% compared to the conventional IGBT.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Ultra low miller capacitance trench-gate IGBT with the split gate structure
- Date Crossref
- 01/05/2015
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Fuji Electric (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
-
Ltd. Fuji Electric Co. pays non établi dans la noticeEntreprise
Fuji Electric (Japan) et Fuji Electric Co. — Ltd..
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.