Influence of Fluorinated Gate Oxides on the Low Frequency Noise of MOS Transistors under Analog Operation
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Rattachement africain : de. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Siemens (Germany) pays non établi dans la noticeEntreprise
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[SIEMENS AG pays non établi dans la noticeInstitution
Siemens (Germany) et [SIEMENS AG.
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