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2007 book-chapter

Monte Carlo Study of Coupled SO Scattering in Si MOSFETs with High κ- Dielectric Gate Stacks: Hot Electron and Disorder Effects

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Rattachement africain : gb. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Monte Carlo Study of Coupled SO Scattering in Si MOSFETs with High κ- Dielectric Gate Stacks: Hot Electron and Disorder Effects
Date Crossref
12/12/2007
Éditeur
Springer Berlin Heidelberg
Type
book-chapter

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • University of Glasgow Department of Electronics and Electrical Engineering pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • SEMATECH pays non établi dans la notice
    Institution

Department of Electronics and Electrical Engineering — University of Glasgow et SEMATECH.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

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