2015 article

Reducing forward bias voltage of InGaN/GaN-based light emitting diodes by using (In)GaN contact layer

Daesung Kang, Younghun Han, Dong‐Hun Kang, Hyunai Kyoung, Hwan-Hee Jeong, June-O Song, Daehyun Kim, Tae-Yeon Seong

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Reducing forward bias voltage of InGaN/GaN-based light emitting diodes by using (In)GaN contact layer, Kang, Daesung, Han, Younghun, Kang, Donghun, Kyoung, Hyunai, Jeong, Hwanhee, Song, June-O, Kim, Dae-Hyun, Seong, Tae-Yeon

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Le contrôle bibliographique ouvert

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Titre Crossref: Reducing forward bias voltage of InGaN/GaN-based light emitting diodes by using (In)GaN contact layer
Date Crossref: 26/05/2015
Éditeur: IOP Publishing
Type: journal-article

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Les institutions déclarées

Korea University Korea Innotech (South Korea)

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