2006 conference-paper

Vertex Channel Field Effect Transistor (VC-FET) Technology Featuring High Performance and Highly Manufacturable Trench Capacitor DRAM

M. Kido, Masahiro Kito, Ryoichi Katsumata, Masaki Kondo, Shoko Ito, Koji Matsuo, Kazuto Miyano, Ichiro Mizushima, Mitsuhisa Sato, Hikaru Tanaka, H. Yasutake, Yoshihiko NAGATA, T. Hoshino, Nozomi Aoki, H. Aochi, Akihiro Nitayama

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2Institutions déclarées

2Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : jp, kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

Vertex channel (VC) transistor is applied to both support devices and array transistor of trench capacitor DRAM for the first time. On-current of VC-FETs is much higher than that of conventional planar devices with keeping sufficiently small off-current. They achieve 15% or much smaller propagation delay (Tpd) of fan-out 3 than planar devices. Furthermore, 1.6 times of on-current as a planar array transistor is achieved by the combination of VCAT and P+poly gate without degradation of retention characteristics

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Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: Vertex Channel Field Effect Transistor (VC-FET) Technology Featuring High Performance and Highly Manufacturable Trench Capacitor DRAM
Date Crossref: 01/01/2006
Éditeur: IEEE
Type: proceedings-article

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