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Deyuan Xiao

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2026 article OpenAlex

Innovative DRAM Cell Featuring a Vertical Junctionless Pillar Access Transistor With a High Work-Function Molybdenum Nitride Metal Gate for Enhanced Performance and Efficiency

Deyuan Xiao, Yi Jiang, Yunsong Qiu, Y.K. Zheng et autres

In this work, we demonstrate an innovative dynamic random access memory (DRAM) cell design featuring a vertical junctionless pillar access transistor with a high work-function (WF) molybdenum nitride (MoN) metal gate, enabling enhanced performance and efficiency. By depositing MoN over the gate …

1 citation IEEE Transactions on Electron Devices

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