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P‐7.10: Effect of Amorphous Silicon TFT Gate Insulator Properties on Vth Stability

Dan Liu, Zhonghao Huang, Xu Wu, Yanqiu Li, Yutong Yang, Yanfei Sun, Taiye Min, Qiyang Liang, Yicheng Jiang, Shuang Han, Zhijun Cao, Xingmign Wang, Hongtao Lin, Li Li

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Le résumé fourni par la source

Vth and its stability (Vth shift) are important performance parameters of TFTs. The effects of deposition power on the deposition rate, refractive index, optical bandgap, and infrared spectrum of SiNx gate insulator are investigated, clarifying the correlations among these parameters. Based on the above‐mentioned gate insulator, a series of TFT devices were fabricated to further investigated the relationship between insulator properties and Vth stability. Experimental results revealed that a decrease in deposition power was accompanied by a reduced SiNx deposition rate, an increase in refractive index, a decrease in bandgap width(Eg), and an increase in the Si‐H ratio. As the refractive index of the gate insulator increased, Vth stability improved. This study provides guidelines for regulating Vth stability.

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Titre Crossref: P‐7.10: Effect of Amorphous Silicon TFT Gate Insulator Properties on Vth Stability
Date Crossref: 01/08/2026
Éditeur: Wiley
Type: journal-article

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