Synergistic Piezophototronic and Bandgap Engineering in a Flexible MoTe 2 /In 2 Se 3 Heterojunction Photodetector
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
ABSTRACT Two‐dimensional materials provide a versatile platform for flexible optoelectronics. However, previous strain‐engineered flexible photodetectors have generally exhibited a narrow spectral range, with most studies focusing solely on the visible range and lacking broadband response capability. Here, we present a flexible photodetector based on the MoTe 2 /In 2 Se 3 van der Waals heterojunction, where the piezophototronic effect and strain‐induced bandgap modulation are combined to achieve a strain‐enhanced broadband response from the visible to the short‐wave infrared. Under controlled uniaxial tensile strain, the induced piezo‐potential within the heterojunction significantly enhances the built‐in electric field at the interface, while the strain‐reduced bandgap of MoTe 2 synergistically promotes photocarrier generation and separation. Consequently, the device exhibits a broadband photoresponse and pronounced responsivity enhancements of 191% at 638 nm and 260% at 1310 nm under optimized tensile strain, along with an ultralow dark current of 9.4 pA. These results demonstrate an effective strain‐modulated photon‐to‐electron transition in flexible van der Waals heterostructures and offer a viable strategy for designing high‐performance flexible optoelectronic devices.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.
- Titre Crossref
- Synergistic Piezophototronic and Bandgap Engineering in a Flexible MoTe <sub>2</sub> /In <sub>2</sub> Se <sub>3</sub> Heterojunction Photodetector
- Date Crossref
- 01/09/2026
- Éditeur
- Wiley
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Westlake University Zhejiang Key Laboratory of 3D Micro/Nano Fabrication and Characterization pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Jiangnan University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Zhejiang Lab pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Institute of Advanced Technology Westlake Institute for Advanced Study Hangzhou China pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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College of Information Science and Electronic Engineering Zhejiang University Hangzhou China State Key Laboratory of Brain‐Machine Intelligence pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Westlake Institute for Optoelectronics Fuyang Hangzhou China pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Zhejiang Key Laboratory of 3D Micro/Nano Fabrication and Characterization — Westlake University, Jiangnan University et Zhejiang Lab, avec 3 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.