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2026 other

Three‐Dimensional Field‐Effect Transistor—From Concept to Computing to Artificial Intelligence

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Rattachement africain : jp, us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

One hundred years have passed since the invention of the field-effect transistor (FET), and devices have evolved significantly during that time. The progress of semiconductor devices has been the primary driver underlying the development of the modern computer. Computers, which began with vacuum tubes and mechanical relays, have progressed to larger machines capable of complex processing following the invention of the solid-state transistor. Transistors have evolved from point-contact type to junction type, then to planar metal–oxide–semiconductor (MOS) type, and finally to three-dimensional (3D) architectures. This chapter clarifies that the characteristics of the developed devices are a major factor influencing the direction of computer progress. An examination of this trend reveals that, around 2010, the convergence of technological innovations—such as domain specificity in computers, machine learning in artificial intelligence (AI), the advent of fin field-effect transistor (FinFET) devices, and others—began steering humanity toward the realization of one of its long-standing dreams: the “thinking machine.”

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.

Titre Crossref
Three‐Dimensional <scp>Field‐Effect</scp> Transistor—From Concept to Computing to Artificial Intelligence
Date Crossref
31/08/2026
Éditeur
Wiley
Type
other

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Les institutions déclarées

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