Effects of Ge composition on strain relaxation and phosphorus activation in implanted SiGe/Si heterostructures
0Citations signalées — pas une note de qualité
3Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés
Résumé indisponible : les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits depuis son seul titre.
Contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Effects of Ge composition on strain relaxation and phosphorus activation in implanted SiGe/Si heterostructures
- Date Crossref
- 01/01/2027
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude et ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Institutions déclarées
National Yang Ming Chiao Tung UniversityNational Health Research InstitutesTaiwan Semiconductor Manufacturing Company (Taiwan)
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Sujets associés
Silicon and Solar Cell TechnologiesSemiconductor Quantum Structures and DevicesAdvancements in Semiconductor Devices and Circuit Design