High frequency characterization and modelling of RRAM devices integrated in CMOS process
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3Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : de. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- High frequency characterization and modelling of RRAM devices integrated in CMOS process
- Date Crossref
- 01/12/2026
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Leibniz Institute for High Performance MicroelectronicsBrandenburg University of Technology Cottbus-SenftenbergTechnische Universität Berlin
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Les sujets associés
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