Vertical GaN Schottky Barrier Diode Based on Anode-First Process and Low-Temperature Ohmic Contact
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Vertical GaN Schottky Barrier Diode Based on Anode-First Process and Low-Temperature Ohmic Contact
- Date Crossref
- 01/01/2026
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Jiangnan University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Panasonic (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Osaka Metropolitan University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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CR Ansheng Technology Company Ltd pays non établi dans la noticeEntreprise
Jiangnan University, Panasonic (Japan) et Osaka Metropolitan University, avec 1 autre affiliation.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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