Performance Enhancement of Tin Chloride‐Incorporated Ferroelectric Polymer‐Based Artificial Synapse for Hardware Neural Networks (Adv. Funct. Mater. 68/2026)
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Filler-Incorporated High-Performance Ferroelectric Synaptic Devices This cover visually represents a highly efficient ferroelectric artificial synapse device. At its core is the ferroelectric synaptic P(VDF-TrFE) layer, positioned between the biological neurons. In particular, the incorporation of filler(SnCl2) significantly elevates the dipole momentum of P(VDF-TrFE) layer, thereby enhancing the device's synaptic performance. Finally, the bottom brain-chip effectively highlights the application of this research in brain-inspired computing systems. More details can be found in the Research Article by Hyeon-Sik Jang, Sang Yeol Lee, Keun Heo, and co-workers (DOI: 10.1002/adfm.77012).
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Contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Performance Enhancement of Tin Chloride‐Incorporated Ferroelectric Polymer‐Based Artificial Synapse for Hardware Neural Networks (Adv. Funct. Mater. 68/2026)
- Date Crossref
- 01/08/2026
- Éditeur
- Wiley
- Type
- journal-article
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