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2026 article

Construction of BaSnO3/ZnIn2S4 heterojunctions with enhanced charge separation for photocatalytic hydrogen evolution

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1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Construction of BaSnO3/ZnIn2S4 heterojunctions with enhanced charge separation for photocatalytic hydrogen evolution
Date Crossref
01/02/2027
Éditeur
Elsevier BV
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Guilin University of Electronic Technology Guangxi Key Laboratory of Information Materials pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Hefei University of Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • School of Materials Science and Engineering pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Hefei Technology College pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Guangxi Key Laboratory of Information Materials — Guilin University of Electronic Technology, Hefei University of Technology et School of Materials Science and Engineering, avec 1 autre affiliation.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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