Heterointerface-induced built-in electric fields in Co 3 O 4 /g-C 3 N 4 for high-efficiency microwave absorption
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To address the electromagnetic pollution caused by complex 5G, IoT, and AI environments, microwave-absorbing materials are crucial.
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Contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Heterointerface-induced built-in electric fields in Co <sub>3</sub> O <sub>4</sub> /g-C <sub>3</sub> N <sub>4</sub> for high-efficiency microwave absorption
- Date Crossref
- 01/01/2026
- Éditeur
- Royal Society of Chemistry (RSC)
- Type
- journal-article
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Institutions déclarées
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Sujets associés
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