Statistical investigation of micropipe propagation in 4H-SiC epitaxy on 8-inch wafers
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5Institutions déclarées
3Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : it, ch, cz. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Statistical investigation of micropipe propagation in 4H-SiC epitaxy on 8-inch wafers
- Date Crossref
- 01/11/2026
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
University of CataniaIstituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di CataniaSTMicroelectronics (Switzerland)STMicroelectronics (Czechia)STMicroelectronics (Italy)
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Les sujets associés
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