Differentiable Etch Proximity Correction with Transformer-Based Optimization
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Rattachement africain : kr, us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Differentiable Etch Proximity Correction with Transformer-Based Optimization
- Date Crossref
- 01/01/2026
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Samsung (South Korea) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Stanford University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Samsung Electronics pays non établi dans la noticeInstitution
Samsung (South Korea), Stanford University et Samsung Electronics.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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