Reliability Improvement of Top-gate ITO Transistors by Post-metal Annealing at 450 °C
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- Titre Crossref
- Reliability Improvement of Top-gate ITO Transistors by Post-metal Annealing at 450 °C
- Date Crossref
- 01/01/2026
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
-
Peking University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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