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2026 article

PbS Colloidal Quantum Dots for Optoelectronics: From Fundamentals to Carrier Transport Strategies and Emerging Applications

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Le résumé fourni par la source

ABSTRACT Colloidal quantum dots (CQDs) have been widely adopted in optoelectronics due to their solution‐processability, size‐tunable bandgaps, and excellent optoelectronic properties. Among them, PbS CQDs have emerged as a promising candidate for next‐generation infrared optoelectronics because of their pronounced quantum confinement, broadly tunable optical absorption across most of the short‐wave infrared (SWIR) region, and the potential for multiple exciton generation (MEG). Herein, the recent progress in PbS CQDs for optoelectronics is systematically reviewed. First, the fundamentals of CQDs, including quantum confinement and size‐dependent bandgaps, representative synthesis routes and ligand exchange methods, and thin‐film assembly strategies are summarized. Then, charge carrier management strategies, including surface chemical modification, band alignment design, and interface engineering, are discussed to mitigate carrier transport limitations and improve device performance. Furthermore, recent advances in PbS CQD optoelectronics are presented, covering quantum dot light‐emitting diodes (QLEDs), solar cells, photodetectors, and emerging optoelectronic devices, with emphasis on device architectures, performance optimization, and practical implementations. Finally, a brief conclusion and outlook for future research directions of PbS CQD‐based optoelectronic devices are also provided.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
PbS Colloidal Quantum Dots for Optoelectronics: From Fundamentals to Carrier Transport Strategies and Emerging Applications
Date Crossref
01/08/2026
Éditeur
Wiley
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Suzhou University of Science and Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Xi’an Jiaotong-Liverpool University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Soochow University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • School of Electronic and Information Engineering Jiangsu Province Key Laboratory of Advanced Functional Materials Suzhou University of Technology Changshu Suzhou People's Republic of China pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Department of Chemistry and Materials Science Advanced Materials Research Center School of Science Xi'an Jiaotong‐Liverpool University Suzhou Jiangsu People's Republic of China pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Suzhou University of Science and Technology, Xi’an Jiaotong-Liverpool University et Soochow University, avec 2 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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