Aller au contenu principal
Accès ouvert déclaré 2026 article

Enhanced Growth in Sb2Te3/SnSe2 Multilayered Atomic Layer Deposition: Nucleation and Nanostructure Modification

0Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
4Institutions déclarées
3Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : de, gb, cz. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

Abstract Multilayer thin film structuring offers a versatile strategy to tailor nanostructures through interface engineering. Atomic layer deposition (ALD) provides precise control of composition and structure via supercycle approaches that enable the multiple metal species introduction. However, the resulting growth behavior is often interpreted without fully accounting for interfacial effects that govern nucleation and nanostructure evolution. In this work, we demonstrate that introducing SnSe2 layers into Sb2Te3/SnSe2 multilayer films using ALD supercycle significantly enhances Sb2Te3 nucleation and accelerates out-of-plane growth, leading to an increase in growth per cycle (GPC) from 0.18 to 0.69 Å/cycle. First-principles atomistic simulations of precursor deposition chemistry and extremely surface-sensitive low-energy ion scattering (LEIS) analysis confirm the promoted growth of Sb2Te3 in Sb2Te3/SnSe2 multilayer structures, which is also accompanied by elemental exchange reactions between Te and Se atoms. The resulting Sb2Te3/SnSe2 multilayer thin films exhibit increased charge carrier and phonon scattering, leading to a significant reduction in lattice thermal conductivity from 1.09 to 0.25 W/mK at room temperature due to the modulated nanostructure. This study establishes a robust analytical framework for understanding and engineering interfacial reactions and nucleation phenomena in ALD-based multilayer systems.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Enhanced Growth in Sb2Te3/SnSe2 Multilayered Atomic Layer Deposition: Nucleation and Nanostructure Modification
Date Crossref
08/08/2026
Éditeur
American Chemical Society (ACS)
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Leibniz Institute for Solid State and Materials Research pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Technische Universität Dresden pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Tyndall Centre pays non établi dans la notice
    Institution
  • University of Pardubice pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • IONTOF GmbH pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • Tyndall National Institute pays non établi dans la notice
    Structure de recherche

Leibniz Institute for Solid State and Materials Research, Technische Universität Dresden et Tyndall Centre, avec 3 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Chalcogenide Semiconductor Thin Films2D Materials and ApplicationsAdvanced Thermoelectric Materials and Devices

BNTIC News n’est pas le producteur de ces données. Les publications sont interrogées à la demande dans Crossref, OpenAIRE, DOAJ, Europe PMC, HAL, DataCite, AfricArXiv, ROR et la Banque mondiale, sans clé d’accès. OpenAlex reste optionnel. Aucun service payant n’est nécessaire et aucune donnée externe n’est enregistrée en base. Consulter les sources et leurs limites.