Multiple-Cell Upset Mechanisms in a Submicron SRAM
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
On-orbit systems operate in harsh radiation environments; as a consequence, radiation induced single-event upsets (SEUs) may interrupt the scheduled operations of microelectronics. We irradiated a 65nm static-random access memory (SRAM) with heavy-ions and a Cf-252 source. Multiple-cell upsets (MCUs) are a significant contributor to the SEU cross section. There are two MCU charge collection mechanisms, the parasitic lateral bipolar effect (PBE), and the well-collapse source injection (WCSI). Each mechanism requires unique mitigation techniques because they are activated through different charge collection methods. It is important to identify if an SRAM is susceptible to the WCSI mechanism to take appropriate MCU mitigation techniques. We show that not all program conditions can help to detect WCSI susceptibility.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Multiple-Cell Upset Mechanisms in a Submicron SRAM
- Date Crossref
- 01/01/2026
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
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