Thickness-Adjustable Monolithic (100) Silicon-on-Insulator Films via Layer-by-Layer Laser-Induced Liquid-Phase Epitaxy
Rattachement africain : tw, cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Abstract Compared with conventional high-temperature epitaxy, we demonstrate a low-thermal-budget approach to form thickness-adjustable monolithic single-crystalline silicon-on-insulator films via layer-by-layer laser-induced liquid-phase epitaxy. The (100) orientation is preserved during repeated melting–recrystallization cycles, enabling stepwise thickness extension up to 400 nm while maintaining epitaxial continuity. Uniform (100) orientation was confirmed by electron beam backscattering diffraction, high-resolution transmission electron microscopy, and selected-area electron diffraction. These thickness-adjustable monolithic single-crystalline silicon films provide a versatile pathway for electronic and photonic three-dimensional integration.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Thickness-Adjustable Monolithic (100) Silicon-on-Insulator Films via Layer-by-Layer Laser-Induced Liquid-Phase Epitaxy
- Date Crossref
- 30/07/2026
- Éditeur
- American Chemical Society (ACS)
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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