Numerical Modeling-Enabled High-Temperature Characterization of Boron Doped Diamond Ohmic Contact and Material Resistivity Using a Simplified TLM Structure
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Numerical Modeling-Enabled High-Temperature Characterization of Boron Doped Diamond Ohmic Contact and Material Resistivity Using a Simplified TLM Structure
- Date Crossref
- 01/06/2026
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
Direction de la Recherche TechnologiqueCentre National de la Recherche ScientifiqueUniversité Fédérale de Toulouse Midi-Pyrénées
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