Measuring carrier lifetimes of an InGaAs/GaAsSb T2SL using an optical phase-shift technique
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
An optical phase-shift technique is demonstrated to measure the carrier lifetime of an InGaAs/GaAsSb type-II superlattice as a function of excess carrier density, showing good agreement with time-resolved photoluminescence data at low excitation. At 77 K, the minority-carrier lifetime is 369 ns.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Measuring carrier lifetimes of an InGaAs/GaAsSb T2SL using an optical phase-shift technique
- Date Crossref
- 27/07/2026
- Éditeur
- AIP Publishing
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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