ALD grown (001) κ-Ga 2 O 3 epitaxial thin films on c -plane sapphire: influence of thickness and thermal annealing
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Le résumé fourni par la source
The effects of thickness on the atomic layer epitaxy of κ-Ga 2 O 3 by ALD on c -plane sapphire are investigated, along with the full thermal conversion to β-Ga 2 O 3 after thermal annealing, offering new opportunities for power electronics.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- ALD grown (001) κ-Ga <sub>2</sub> O <sub>3</sub> epitaxial thin films on <i>c</i> -plane sapphire: influence of thickness and thermal annealing
- Date Crossref
- 01/01/2026
- Éditeur
- Royal Society of Chemistry (RSC)
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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