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2026 article

Morphotropic phase boundary engineering achieves robust piezoelectricity and operational stability at elevated temperatures in PZN-PZT ceramics

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Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

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Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Morphotropic phase boundary engineering achieves robust piezoelectricity and operational stability at elevated temperatures in PZN-PZT ceramics
Date Crossref
01/12/2026
Éditeur
Elsevier BV
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Xi'an Jiaotong University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • ON Semiconductor (China) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • Nanopolis Suzhou (China) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • Southwest University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • School of Electronic Science and Engineering Electronic Materials Research Laboratory pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Ltd Suzhou YiNGUAN Semiconductor Technology Co. pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • School of Materials and Energy Southwest Mountain Regions Intelligent Agricultural Machinery Equipment Innovation enter pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Xi'an Jiaotong University, ON Semiconductor (China) et Nanopolis Suzhou (China), avec 4 autres affiliations.

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