On-chip dense quantum frequency comb generation via SFWM in an AlGaAs-on-insulator resonator
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Le résumé fourni par la source
), such as aluminum gallium arsenide (AlGaAs), enable efficient nonlinear interactions at low excitation powers in integrated cavities. Here, we demonstrate a broadband quantum frequency comb (QFC) in a low free spectral range (FSR) (45 GHz) aluminum gallium arsenide on insulator (AlGaAsOI) resonator, with up to 40 pairwise frequency-correlated modes across a 1.97 THz bandwidth in the C-band. The dense mode spacing enables scalable frequency multiplexing and frequency-bin encoding within a compact device operating at a low excitation power of 6.33 µW. The measured joint-spectral intensity (JSI) is well reproduced by a theoretical model, enabling predictive control of spectral correlations across the generated QFC. The moderate Q-factor provides a tradeoff between nonlinear enhancement, broadband phase-matching, and number of accessible modes, supporting dense multimode operation over a large spectral range. These results highlight the potential of AlGaAsOI resonators for scalable low-power QFC sources.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- On-chip dense quantum frequency comb generation via SFWM in an AlGaAs-on-insulator resonator
- Date Crossref
- 31/07/2026
- Éditeur
- Optica Publishing Group
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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University of Glasgow pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Scuola Superiore Sant'Anna pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Sant’Anna School of Advanced Studies TeCIP Institute pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
University of Glasgow, Scuola Superiore Sant'Anna et TeCIP Institute — Sant’Anna School of Advanced Studies.
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