Proximity Engineered Tunable Phase Transitions in Ferroelectric Hafnia and Steep Switching Phase Change FETs
Rattachement africain : in, kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
ABSTRACT Ferroelectric hafnia has emerged as a transformative material in advanced electronics, with Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) compatibility, robust ferroelectricity, and scalability for applications including memory and ferroelectric field effect transistors (FEFETs). We demonstrate wake‐up‐free, robust ferroelectricity in solution‐processed La‐doped hafnia (LHO, 40 nm thick). By leveraging a metal‐insulator transition (MIT) in the bottom electrode, TiO x (N y ), a Mott Insulator, we engineer a depolarization‐field‐controlled reversible polar‐to‐non‐polar phase transitions via the proximity effect in the ferroelectric hafnia layer. We further show that capping the ferroelectric layer with Al 2 O 3 of various thicknesses, allows for subtle oxidation of the bottom electrode, resulting in tunable phase transitions between 140 and 260 K. Using the idea of proximity‐coupled phase‐transitioning ferroelectric layers, we demonstrate phase‐change ferroelectric field‐effect transistor (PCFE‐FET) integrated onto a 2D MoS 2 channel. Near the induced phase transition temperatures, our devices show steep subthreshold slopes surpassing the Boltzmann limit. The temperature tunability of the phase transitions renders our PC‐FEFETs highly promising for low‐power computing solutions for both cryogenic and near‐room temperature applications.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Proximity Engineered Tunable Phase Transitions in Ferroelectric Hafnia and Steep Switching Phase Change FETs
- Date Crossref
- 10/07/2026
- Éditeur
- Wiley
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Indian Institute of Science Bangalore pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Sungkyunkwan University Department of Advanced Materials Science & pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Indian Institute of Technology BHU pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Banaras Hindu University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Centre For Nano Science and Engineering Indian Institute of Science Bengaluru India pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Department of Ceramic Engineering Indian Institute of Technology (IIT‐BHU) Varanasi India pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Indian Institute of Science Bangalore, Department of Advanced Materials Science & — Sungkyunkwan University et Indian Institute of Technology BHU, avec 3 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.