Semiconducting Ge dopants enable concurrent lattice stabilization and enhanced Na + redox activity in P2-type sodium-ion cathodes
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Le résumé fourni par la source
This study shows that Ge doping stabilizes the P2-type cathode lattice and promotes reversible Ni redox, thereby increasing capacity and enabling excellent sodium-ion full-cell performance.
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- Titre Crossref
- Semiconducting Ge dopants enable concurrent lattice stabilization and enhanced Na <sup>+</sup> redox activity in P2-type sodium-ion cathodes
- Date Crossref
- 01/01/2026
- Éditeur
- Royal Society of Chemistry (RSC)
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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China University of Geosciences pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Hubei University of Automotive Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Hubei Normal University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Tiangong University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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State Key Laboratory of Advanced Separation Membrane Materials pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Nankai University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of New Energy Hubei Key Laboratory of Energy Storage and Power Battery pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Faculty of Materials Science and Chemistry State Key Laboratory of Biogeology and Environmental Geology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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College of Chemistry and Chemical Engineering Hubei Key Laboratory of Pollutant Analysis & Reuse Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Materials Science and Engineering State Key Laboratory of Advanced Separation Membrane Materials pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
China University of Geosciences, Hubei University of Automotive Technology et Hubei Normal University, avec 7 autres affiliations.
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