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Accès ouvert déclaré 2026 article

Charge Transport in All‐Inorganic CuInSe 2 Nanocrystal Transistors: Linking Material Design and Device Performance

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Le résumé fourni par la source

ABSTRACT Solution‐processable semiconductor nanocrystals (NCs) offer a versatile, highly tunable platform for low‐cost, next‐generation electronics. However, their integration into field‐effect transistors (FETs) remains limited by the challenge of optimizing synthesis, surface chemistry, and charge transport. In this work, CuInSe 2 NCs are synthesized, and their organic, insulating ligand environment is exchanged with short inorganic ligands such as sulfides, to enable efficient interparticle coupling. The all‐inorganic dispersions are spin‐coated and top‐contacted to fabricate fully functioning FETs. Reference samples exhibit saturation mobilities of µ sat = 2.30 ± 0.76 × 10 −3 cm 2 V −1 s −1 and a current modulation R on/off = 10.4. Systematic variation of key parameters—including NC size, ligand chemistry, film thickness, and transistor geometry—provides a comprehensive understanding of the structure‐property relationships, enhancing the final FET performance up to µ sat = 12.93 ± 1.23 × 10 −3 cm 2 V −1 s −1 . This study presents a knowledge platform for advancing NC‐based electronics toward practical applications.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.

Titre Crossref
Charge Transport in All‐Inorganic CuInSe <sub>2</sub> Nanocrystal Transistors: Linking Material Design and Device Performance
Date Crossref
06/07/2026
Éditeur
Wiley
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Technische Universität Dresden pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Leibniz Institute for Solid State and Materials Research pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Helmholtz‐Zentrum Dresden‐Rossendorf (HZDR) Dresden Germany pays non établi dans la notice
    Institution
  • Leibniz‐Institute for Solid State and Materials Research Dresden Dresden Germany pays non établi dans la notice
    Structure de recherche

Technische Universität Dresden, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf et Leibniz Institute for Solid State and Materials Research, avec 2 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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