Growth temperature effects on defect-mediated optical and photoluminescence properties of PbS x O y nanostructured thin films
Rattachement africain : sa, Égypte. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
PbS x O y thin films are emerging semiconductors with tunable optoelectronic properties. This work investigates the effects of growth temperature on oxidation, defect formation, crystal structure, optical properties, and photoluminescence behavior.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.
- Titre Crossref
- Growth temperature effects on defect-mediated optical and photoluminescence properties of PbS <sub> <i>x</i> </sub> O <sub> <i>y</i> </sub> nanostructured thin films
- Date Crossref
- 01/01/2026
- Éditeur
- Royal Society of Chemistry (RSC)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.