Kinetically Controlled Condensation Boundary Governing Indium Incorporation in InGaN Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
Rattachement africain : cn, jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
We combine in situ synchrotron X-ray crystal truncation rod measurements with a binary Burton-Cabrera-Frank model to quantify indium incorporation during InGaN growth by metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) on GaN(0001). By distinguishing In adatoms from condensed droplets and incorporating coupled Ga-In incorporation kinetics, the model captures the intrinsically nonlinear dependence of indium composition on precursor flux and growth temperature. The critical In coverage corresponding to the maximum attainable In composition at a given temperature is determined by a kinetic balance between In adatom supply and incorporation capacity, defining a kinetically controlled condensation boundary that shifts with temperature and Ga flux. The model quantitatively predicts this boundary, in agreement with independent measurements, and provides a predictive framework for optimizing high-In-content InGaN growth while avoiding droplet formation.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
Où se fait cette recherche
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Peking University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Nagoya University Hospital ) Institute of Materials and Systems for Sustainability pays non établi dans la noticeÉtablissement de santé
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Nagoya University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Physics ) State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Peking University, ) Institute of Materials and Systems for Sustainability — Nagoya University Hospital et Nagoya University, avec 1 autre affiliation.
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