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2026 article

Low-cost solution growth of wafer-scale, high-quality MoS 2 thin films via synergistic precursor stabilization

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Rattachement africain : cn, us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

Abstract A novel approach to wafer-scale, high-quality MoS 2 thin film fabrication is demonstrated using an improved solution-based method that employs synergistic precursor stabilization. The key innovation involves an optimized solution with ammonium tetrathiomolybdate ((NH 4 ) 2 MoS 4 ) as the molybdenum and sulfur source, dimethyl sulfoxide as the solvent, ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) as the chelating agent. Ethanolamine’s role in facilitating EDTA dissolution enhances solution stability and enables controlled thermal decomposition. By constructing two heterojunctions of Ag/V 2 O 5 /MoS 2 /Ag and Ag/MoS 2 /V 2 O 5 /Ag, the optoelectronic properties were tested under different wavelengths and bias voltages. The V 2 O 5 /MoS 2 photodetector delivers optimal photoelectric performance at 600 nm illumination, achieved a responsivity of 120 mA W −1 and a detectivity of 0.88 × 10 −10 Jones at 2 V, with a response/recovery time of 82.38/43.31 μ s. Furthermore, the photogenerated carrier transport behavior of the MoS 2 device was analyzed in detail. This ethanolamine-assisted technique offers a cost-effective, liquid-phase route to high-quality 2D films and provides a framework for novel heterostructure fabrication.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.

Titre Crossref
Low-cost solution growth of wafer-scale, high-quality MoS <sub>2</sub> thin films via synergistic precursor stabilization
Date Crossref
07/07/2026
Éditeur
IOP Publishing
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Chongqing University of Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Advanced Materials and Devices (United States) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • Chongqing Key Laboratory of New Energy Storage Materials and Devices pays non établi dans la notice
    Structure de recherche

Chongqing University of Technology, Advanced Materials and Devices (United States) et Chongqing Key Laboratory of New Energy Storage Materials and Devices.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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