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2026 conference-paper

Three-Level GaN HEMT Gate Driver with Negative V GS Pulse and Integrated Overcurrent Protection

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2Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : be. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.

Titre Crossref
Three-Level GaN HEMT Gate Driver with Negative V <sub>GS</sub> Pulse and Integrated Overcurrent Protection
Date Crossref
24/05/2026
Éditeur
IEEE
Type
proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • 3D Systems (Belgium) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • Materialise (Belgium) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • MinDCet pays non établi dans la notice
    Institution
  • KU Leuven pays non établi dans la notice
    Institution

3D Systems (Belgium), Materialise (Belgium) et MinDCet, avec 1 autre affiliation.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

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