Three-Level GaN HEMT Gate Driver with Negative V GS Pulse and Integrated Overcurrent Protection
Rattachement africain : be. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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- Titre Crossref
- Three-Level GaN HEMT Gate Driver with Negative V <sub>GS</sub> Pulse and Integrated Overcurrent Protection
- Date Crossref
- 24/05/2026
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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3D Systems (Belgium) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Materialise (Belgium) pays non établi dans la noticeEntreprise
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MinDCet pays non établi dans la noticeInstitution
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KU Leuven pays non établi dans la noticeInstitution
3D Systems (Belgium), Materialise (Belgium) et MinDCet, avec 1 autre affiliation.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.