Band alignment transition and power conversion efficiency in MoSi₂N₄/GaN heterojunction via external electric field modulation
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Contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Band alignment transition and power conversion efficiency in MoSi₂N₄/GaN heterojunction via external electric field modulation
- Date Crossref
- 01/07/2026
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
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Sujets associés
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