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Accès ouvert déclaré 2026 preprint

Low-field carrier mobilities in silicon irradiated to extreme fluences

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Rattachement africain : de, ca, es, jp, si. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

The low-field carrier mobilities in <100> silicon were quantified as a function of the 1$\,$MeV neutron-equivalent fluence up to $10^{18}\,$cm$^{-2}$ and for temperatures between 230$\,$K and 260$\,$K. Current measurements were fitted using a mobility model for scattering at ionized impurities. Technology-aided design (TCAD) simulations were compared to measurements and used to estimate the carrier concentrations, which are parameters in the fit. The fit model describes the data very well, both as a function of fluence and the temperature. At a fluence of $6 \cdot 10^{17}\,$cm$^{-2}$, which is expected for the innermost detector layers at the proposed Future Circular Hadron Collider (FCC-hh), the sum of the mobilities of electrons and holes was found to decrease by $\sim60$%.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

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  • Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY pays non établi dans la notice
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  • Carleton University pays non établi dans la notice
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  • Institut de Microelectrònica de Barcelona pays non établi dans la notice
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  • High Energy Accelerator Research Organization pays non établi dans la notice
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  • Jožef Stefan Institute pays non établi dans la notice
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  • Humboldt University of Berlin pays non établi dans la notice
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  • Instituto de Microelectrónica de Barcelona pays non établi dans la notice
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  • Institute of Particle and Nuclear Studies pays non établi dans la notice
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Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY, Carleton University et Institut de Microelectrònica de Barcelona, avec 5 autres affiliations.

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