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Accès ouvert déclaré 2026 article

Miniaturized PtSe₂-Based Piezoresistive Pressure Sensors With Enhanced Sensitivity

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Rattachement africain : de. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

Device miniaturization has emerged as a key driver in the advancement of micro- and nano-electromechanical systems (MEMS/NEMS), enabling enhanced performance, reduced power consumption, and the integration of multiple functionalities into compact platforms. Platinum diselenide (PtSe2), a noble metal dichalcogenide (NMDC), has unique characteristics that are particularly advantageous for piezoresistive sensing. Membrane-based PtSe2piezoresistive pressure sensors have demonstrated excellent sensitivity in previous studies, although typically using large arrays of membranes designed to counteract low device yield. In this work, we push the boundaries of device miniaturization and demonstrate PtSe2pressure sensors with single cavities and circular channels. Our sensors exhibit sensitivities of up to 1 × 10-3kPa-1for a 42 μm cavity device and achieve high area-normalized sensitivity values of more than 2 × 10-6kPa-1μm-2for 20 μm cavity devices without compromising sensor performance. These results highlight the potential of PtSe2for highly sensitive, miniaturized pressure sensing applications.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Miniaturized PtSe₂-Based Piezoresistive Pressure Sensors With Enhanced Sensitivity
Date Crossref
15/07/2026
Éditeur
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • RWTH Aachen University Chair of Electronic Devices pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Universität der Bundeswehr München pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • University of the Bundeswehr Munich Institute of Physics and SENS Research Centre pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Chair of Electronic Devices — RWTH Aachen University, Universität der Bundeswehr München et Institute of Physics and SENS Research Centre — University of the Bundeswehr Munich.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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