High-κ Al-doped HfO 2 /ZrO 2 Superlattice with 6.6 Å EOT, Low Leakage Current and Enhanced Breakdown Field
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Le résumé fourni par la source
This study introduces a method for controlling antiferroelectric (AFE) phase formation in hafnium-zirconium-hafnium (HZH) superlattices through Al doping. The synergistic role of Al enhances permittivity and improves reliability, leading to an equivalent oxide thickness (EOT) as low as 6.6 Å and a leakage current of 5.8×10-5A/cm2at 2 MV/cm, as well as improved breakdown field. This approach overcomes the conventional trade-off between low EOT and reliability, offering a promising strategy for developing next-generation high-performance logic devices.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- High-κ Al-doped HfO <sub>2</sub> /ZrO <sub>2</sub> Superlattice with 6.6 Å EOT, Low Leakage Current and Enhanced Breakdown Field
- Date Crossref
- 01/03/2026
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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Wuhan National Laboratory for Optoelectronics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Peking University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Huazhong University of Science and Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Peking University et Huazhong University of Science and Technology.
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