Direct Backside Contact Driven Source/Drain Engineering for Sub-1nm Technology
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
As a critical enabler for advanced technology, direct backside contact (DBC) demands careful source/drain (S/D) engineering to unlock its full performance benefits. In this study, S/D epitaxial expansion yields approximately 100 percent bottom channel strain enhancement and over 40 percent Ionincrease without short channel effect degradation. Moreover, increasing the S/D bulk doping reduces Ronby 20 percent, thereby enhancing ring-oscillator (RO) performance. The DBC-driven DTCO would pave the way for sub-1nm technology node.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Direct Backside Contact Driven Source/Drain Engineering for Sub-1nm Technology
- Date Crossref
- 01/03/2026
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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