Sequential 3D Integration Featuring Low-Temperature Fabrication and High-Density Design
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
In this work, prospective review on sequential 3D integration (S3D) is carried in terms of low-temperature fabrications and high-density designs. Silicide-initiated lateral epitaxial crystallization (SILEC) is proposed to form high-quality single-crystal-like channel material at 550oC, featuring enhanced mobility. Ultra-thin self-limited TiSix (SL-TiSix) silicide is formed on the a-Si sacrificial layer and approaches ultra-low specific contact resistivity down to 1.63/4.23 nΩ-cm2on Si:P and SiGe:B substrate at 350oC. With interlayer connect, S3D SRAM cell can contiunue the scaling-down trend from monolithic CFET SRAM.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Sequential 3D Integration Featuring Low-Temperature Fabrication and High-Density Design
- Date Crossref
- 01/03/2026
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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