In Situ Sulfur‐Supplementation Toward Efficient PbS Quantum Dot Photovoltaics for Tandem Applications
Rattachement africain : cn, Égypte, hk. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
ABSTRACT Efficient narrow‐bandgap PbS quantum dot (QD) solar cells are promising candidates for bottom subcells in multi‐junction tandem photovoltaics. However, solution‐phase ligand exchange inevitably disrupts surface stoichiometry by introducing sulfur vacancies and excess lead iodide (PbI 2 ), which could act as non‐radiative recombination sites and ion migration pathways. Herein, we develop an in situ sulfur‐supplementation strategy utilizing N,N ‐Diphenylthiourea (DPTU). In the butylamine‐mediated alkaline environment, DPTU releases sulfide ions that spontaneously repair sulfur vacancies and scavenge excess PbI 2 . Driven by the significant difference in solubility product constants between PbS and PbI 2 in N,N ‐Dimethylformamide, this process produces stoichiometric PbS ink with suppressed defect density. Combined with vacuum‐assisted annealing, the 0.95 eV PbS QD devices achieve a record efficiency of 14.34% and a silicon‐filtered efficiency of 1.56%, with excellent near‐infrared photodetector performance and aging stability. Furthermore, optimized PbS devices contributed additional efficiencies of 6.37%, 2.56%, and 2.22% beneath 1.77, 1.26, and 1.77/1.26 eV perovskite filters, respectively. This work offers a robust in situ bulk passivation strategy to suppress vacancy defects and ion migration in PbS QD photovoltaics, paving the way for their application in high‐performance tandem solar cells.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- In Situ Sulfur‐Supplementation Toward Efficient PbS Quantum Dot Photovoltaics for Tandem Applications
- Date Crossref
- 01/05/2026
- Éditeur
- Wiley
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Henan University of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Wuhan National Laboratory for Optoelectronics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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National Research Institute of Astronomy and Geophysics Helwan, Égypte (code pays fourni par la source)Structure de recherche
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China National Petroleum Corporation (China) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Huazhong University of Science and Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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City University of Hong Kong pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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CNPC USA Corporation Center Katy Texas USA pays non établi dans la noticeInstitution
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School of Energy and Environment & pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Henan University of Technology, Wuhan National Laboratory for Optoelectronics et National Research Institute of Astronomy and Geophysics (Helwan, Égypte), avec 5 autres affiliations. Pays d’affiliation : Égypte.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.