Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition Synthesis of Nanolayered Molybdenum Diselenide (MoSe 2 ) Thin Films for Nanoelectronics
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Le résumé fourni par la source
by PE-ALD and its direct integration into transistor architectures.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.
- Titre Crossref
- Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition Synthesis of Nanolayered Molybdenum Diselenide (MoSe <sub>2</sub> ) Thin Films for Nanoelectronics
- Date Crossref
- 01/05/2026
- Éditeur
- American Chemical Society (ACS)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Alabama Agricultural and Mechanical University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Jones College pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Brookhaven National Laboratory pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Center for Functional Nanomaterials pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Georgia Institute of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Alabama A&M University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Department of Electrical Engineering pays non établi dans la noticeInstitution
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Bob Jones High School pays non établi dans la noticeInstitution
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Institute for Matter and Systems pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Alabama Agricultural and Mechanical University, Jones College et Brookhaven National Laboratory, avec 6 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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