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2026 article

SiC MiniPIX Timepix3 detectors for beam characterization and UHDR monitoring in particle therapy

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6Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : cz, at, ro, pl, sk, us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

Abstract A hybrid semiconductor detector consisting of a 65 μm thick 4H-SiC sensor bump-bonded to a Timepix3 ASIC was used to characterize carbon- and helium-ion beams (up to 402 MeV/u). Compared to a 500 μm thick Si sensor, the SiC detector shows an 87 ± 3% reduction in pixel occupancy for 290 MeV/u carbon, preventing ToT saturation while maintaining tracking properties; this corresponds to ≈7.7× higher tolerable particle flux at matched settings. For helium, mean cluster sizes of 1.0 px (SiC) versus 5.0 px (Si) imply ∼80% lower occupancy and ≈5× higher flux headroom. For ultra-high dose-rate (UHDR/FLASH) applications, out-of-field monitoring of 226 MeV pencil-beam scanning deliveries (169 spots, of ∼2 ms duration) achieved 100% spots detection efficiency and a linear dose-rate response across 100–500 nA, with sensitivity down to 10 mGy/s. Overall, SiC-based MiniPIX-Timepix3 enables compact, non-invasive, particle-resolved beam monitoring with improved dynamic-range utilization and scalable flux tolerance, supporting advanced in-room QA across clinical and UHDR conditions.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
SiC MiniPIX Timepix3 detectors for beam characterization and UHDR monitoring in particle therapy
Date Crossref
01/04/2026
Éditeur
IOP Publishing
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Les institutions déclarées

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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