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2026 article

Structural optimization of AlN thin films transducer for high-temperature ultrasonic sensing with high entropy oxide protection

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Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Structural optimization of AlN thin films transducer for high-temperature ultrasonic sensing with high entropy oxide protection
Date Crossref
01/05/2026
Éditeur
Elsevier BV
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Wuhan University Hubei Key Laboratory of Electronic Manufacturing and Packaging Integration pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Hubei University of Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Wuhan University of Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • School of Power & Mechanical Engineering pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • School of Mechanical Engineering pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • School of Physics and Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • School of Integrated Circuits pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Hubei Key Laboratory of Electronic Manufacturing and Packaging Integration — Wuhan University, Hubei University of Technology et Wuhan University of Technology, avec 4 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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