Vacancy induced microstructural and optoelectronic properties of CuO NPs: Effect of annealing temperature
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4Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : in. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Vacancy induced microstructural and optoelectronic properties of CuO NPs: Effect of annealing temperature
- Date Crossref
- 01/01/2026
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- posted-content
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Eternal UniversityIndira Gandhi Institute of Development ResearchHomi Bhabha National InstituteIndira Gandhi Centre for Atomic Research
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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