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2026 article

Triple metal gate vertical TFET with SiGe/Si heterojunction for high-performance and low-power VLSI circuits

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Rattachement africain : cy, in. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

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Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Triple metal gate vertical TFET with SiGe/Si heterojunction for high-performance and low-power VLSI circuits
Date Crossref
01/04/2026
Éditeur
Springer Science and Business Media LLC
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

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