Forming-free resistive switching characteristics of RF-sputtered Ga2O3-based memristors
1Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
2Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Forming-free resistive switching characteristics of RF-sputtered Ga2O3-based memristors
- Date Crossref
- 01/08/2026
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Tech University of Korea Department of Semiconductor Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Seoul Semiconductor (South Korea) pays non établi dans la noticeEntreprise
Department of Semiconductor Engineering — Tech University of Korea et Seoul Semiconductor (South Korea).
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Les sujets associés
Ga2O3 and related materialsAdvanced Memory and Neural ComputingFerroelectric and Negative Capacitance Devices