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2026 article

Conductance quantization and quantum-point-contact formation in hBN/HfO 2 bilayer memristive devices

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Rattachement africain : in. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

Abstract We report quantized conductance and quantum point contact (QPC) formation in memristive devices comprising exfoliated hexagonal boron nitride (hBN) over HfO 2 as the active layer. The scattered hBN flakes locally enhance oxygen vacancy concentration, forming the filamentary paths beneath Ag top electrodes (TEs). These topographical inhomogeneities create atomically narrow constrictions that act as QPCs. X-ray diffraction measurements indicate strain in the hBN stacks, whereas the Raman E 2g mode shows a small shift (1364–1366 cm −1 ) and broadening indicative of strain and substrate coupling. Electrical characterization exhibits conductance plateaus close to integer and half-integer multiples of G 0 = 2 e 2 / h , along with hysteretic current–voltage behavior consistent with filament evolution. We propose a unified morphological-ionic model where randomly distributed hBN flakes create nanoscale topography that steers oxygen-vacancy accumulation and produces QPCs at the TE/hBN interface. The results highlight van-der-Waals/oxide heterostructures as promising platforms for atomic-scale memristive devices and secure stochastic hardware primitives.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.

Titre Crossref
Conductance quantization and quantum-point-contact formation in hBN/HfO <sub>2</sub> bilayer memristive devices
Date Crossref
26/02/2026
Éditeur
IOP Publishing
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Shiv Nadar University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Indian Institute of Technology BHU pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Banaras Hindu University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • School of Natural Sciences Department of Physics pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Indian Institute of Technology (BHU) Department of Ceramic Engineering pays non établi dans la notice
    Structure de recherche

Shiv Nadar University, Indian Institute of Technology BHU et Banaras Hindu University, avec 2 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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