2.5 kV/674 MW/cm2 or 100 A/2 kV β-Ga2O3 heterojunction diodes with large surge current and small recovery time
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4Institutions déclarées
2Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : cn, us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- 2.5 kV/674 MW/cm2 or 100 A/2 kV β-Ga2O3 heterojunction diodes with large surge current and small recovery time
- Date Crossref
- 20/01/2026
- Éditeur
- Springer Science and Business Media LLC
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Xidian UniversityChina Resources (China)Institute of MicroelectronicsUnited Microelectronics (United States)
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Les sujets associés
Ga2O3 and related materialsGaN-based semiconductor devices and materialsHigh voltage insulation and dielectric phenomena